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静电放电ESD
发布时间：2025-01-07 | 信息来源：深圳市启威测标准技术服务有限公司
静电放电(ESD: Electrostatic Discharge)介绍：
静电放电是造成所有电子元器件或集成电路系统造成过度电应力(EOS: Electrical Over Stress)破坏的主要元凶。因为静电通常瞬间电压非常高(>几千伏)，所以这种损伤是毁灭性和永久性的，会造成电路直接烧毁。所以预防静电损伤是所有IC设计和制造的头号难题。
静电放电（ESD）抗扰度测试是重要的电磁兼容性（EMC）测试之一。
ESD的标准以及测试方法：
根据静电的产生方式以及对电路的损伤模式不同通常分为四种测试方式： 人体放电模式(HBM: Human-Body Model)、机器放电模式(Machine Model)、元件充电模式(CDM: Charge-Device Model)、电场感应模式(FIM: Field-Induced Model)，但是业界通常使用前两种模式来测试(HBM, MM)。
1) 人体放电模式(HBM）
当然就是人体摩擦产生了电荷突然碰到芯片释放的电荷导致芯片烧毁击穿，秋天和别人触碰经常触电就是这个原因。业界对HBM的ESD标准也有迹可循(MIL- STD-883C method 3015.7，等效人体电容为100pF，等效人体电阻为1.5Kohm)，或者国际电子工业标准(EIA/JESD22-A114-A)也有规定，看你要follow哪一份了。如果是MIL-STD-883C method 3015.7，它规定小于<2kV的则为Class-1，在2kV~4kV的为class-2，4kV~16kV的为class-3。
2) 机器放电模式(MM)：
当然就是机器(如robot)移动产生的静电触碰芯片时由pin脚释放，次标准为EIAJ-IC-121 method 20(或者标准EIA/JESD22-A115-A)，等效机器电阻为0 (因为金属)，电容依旧为100pF。由于机器是金属且电阻为0，所以放电时间很短，几乎是ms或者us之间。但是更重要的问题是，由于等效电阻为0，所以电流很大，所以即使是200V的MM放电也比2kV的HBM放电的危害大。而且机器本身由于有很多导线互相会产生耦合作用，所以电流会随时间变化而干扰变化。
启威测实验室能力检测范围：
材料 ESD 性能评估测试
半导体器件 ESD 性能评估测试
表面电阻
体电阻
摩擦电压
静电压
屏蔽电压
渗透电压
衰减时间
人体模式HBM（±20KV）；
机器模式MM（±2KV）；
充电模式CDM（±2KV）；
电过载EOS。
半导体器件 ESD 测试模式的选用根据产品类别及可以要求选用。
简 介 启威测是一家专注于电子产品及材料研发阶段可靠性检测、验证及失效分析服务的第三方检测机构。网址：www.qwctest.com，联系电话：0755-27403650。
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